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考察

低血糖症は、症状や徴候を引き起こすのに十分低い血糖値として臨床的に定義されています。生化学的には、健康な成人の血漿グルコースが55 mg / dL未満であると定義されています。ただし、糖尿病患者では、70 mg / dL未満の血糖値は低血糖症と見なされます。低血糖の確認は、ホイップルのトライアドによって行われます– 1)低血糖と一致する徴候および/または症状、2)低血漿グルコース、および3)血漿グルコースの上昇後の徴候および/または症状の解消。ただし、脳への不可逆的な損傷の場合が発生した場合、3番目の基準が満たされる可能性は低くなります。

低血糖症はさまざまな症状を示す可能性があります。その臨床診断は主に症候学に基づいています。これらは神経原性と神経グリオペニックに分けられます。神経グリオペニック症状は微妙なものからさまざまです。意識喪失と発作に対する行動異常低血糖症は、この患者の場合と同様に、低血糖症と徐脈を呈することもあります。低血糖症と低血糖症を伴う発汗は、臨床医に心血管系の原因を探求させ、血糖値が測定されるまで低血糖症は考慮されません。

非糖尿病患者の低血糖症は、薬物、腫瘍、重篤な病気に加えて、外因性または内因性の高インスリン血症が原因である可能性があります、およびホルモン欠乏症。低血糖中にインスリンレベルが上昇し(少なくとも3μIU/ mL)、c-ペプチドが少ない(0.6 ng / mL未満)場合、インスリンの不正使用による外因性高インスリン血症と診断されます。 c-ペプチドの増加がなかったので、スルホニル尿素の消費は私たちの患者では除外されました。スルホニル尿素剤は内因性高インスリン血症を引き起こし、c-ペプチドは膵臓β細胞からのインスリンと等モル濃度で共分泌されるため、c-ペプチドとインスリンの上昇を引き起こします。

自殺のモードとしての外因性インスリン投与がより一般的かもしれません医療およびパラメディカルの人員で。ある研究では、インスリンの過剰摂取を管理した25人の患者のうち、5人が非糖尿病の医療専門家でした。私たちの患者はおそらく管理上の理由で病歴を示さなかったので、インスリンの殺人的および偶発的な投与はありそうにありません。したがって、自殺念慮が強く疑われた。また、精神障害のある患者や糖尿病患者の親戚にもよく見られます。

短時間作用型インスリンや長時間作用型インスリンなど、あらゆる種類のインスリンが自殺念慮に使用されてきました。長時間作用型インスリンを服用すると、効果が遅れる可能性があります。短時間作用型インスリンも遅延効果を引き起こす可能性があります。これは、デポ効果に基づいて説明されています。大量のインスリンが注射されると、注射部位の組織が圧迫されるため、局所的な血流が大幅に減少します。遅延効果は、腎機能障害または肝機能障害の存在下でも見られます。糖尿病患者では、注射部位の脂肪萎縮症またはインスリンに対する循環抗体が遅延効果を引き起こす可能性があります。

低血糖症のCSF分析は低血糖値を示しています。血漿とCSFの間のグルコースの平衡化には約2時間かかります。 CSFグルコースは、数時間前の血漿グルコースを反映しています。しかし、これは、特に敗血症性脳髄膜炎では、誤解を招くことがあります。

高用量のインスリンは、電解質異常症につながる可能性があります。インスリン過剰は、塩分と水分の貯留を引き起こし、結果として希釈性低ナトリウム血症を引き起こします。カリウムとリンの細胞内シフトがあり、低カリウム血症と低リン血症につながる可能性があります。私たちの患者は、初期評価時に低リン血症を患っていましたが、自然に矯正されました。急性肺水腫は、交感神経の活性化によるインスリンの過剰摂取を複雑にする可能性があり、脂肪肝も自殺インスリン毒性で報告されています。

低血糖の管理はブドウ糖を使用します。血漿インスリンレベルが上昇し、50〜60μU / mLのレベルに達すると、肝臓のグルコース出力が完全に抑制され、グルコースを外因的に投与する必要があります。ほとんどの患者は、長期間デキストロース注入を必要とします。低血糖のエピソードが発生するときはいつでも、50%デキストロースのボーラスで治療することができ、他の期間では5または10%デキストロース溶液で治療することができます。完全に回復するまでのブドウ糖の平均必要量は、160〜1100 gの範囲であり、治療期間は12〜62時間です。私たちの患者は、90時間にわたって与えられた470gのデキストロースを必要としました。禁忌がない場合は、混合食によるライルの経管栄養を開始する必要があります。デキストロース注入自体が、特に非糖尿病患者において過剰なインスリン分泌の原因となり、再発性低血糖症につながる可能性があります。注射部位の皮下脂肪の切除により、デキストロース注入速度を大幅に低下させることが示されています。

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